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MTMC8E2A0LBF松下MOSFETs f锂电池二次保护,松下MOS供应MTMC8E2A0LBF

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  • 联系人:
    朱先生
  • 职   位:
    销售工程师
  • 地   址:
    广东 深圳 宝安区 龙华新区民治街道民乐科技园乐溪大厦1006
品牌:Panasonic/松下型号:MTMC8E2A0LBF种类:结型(JFET)
沟道类型:P沟道导电方式:增强型用途:VR/可变电阻
封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道

MTMC8E2A0LBF松下MOSFETs f锂电池二次保护

松下MTMC8E2A0LBF-MOSFETs for Lithium-ion Battery Protection

产品概要

  • 提供包括超小型CSP在内的各种系列、***无铅封装件等。

  • 业内***的低漏源导通电阻,能更加有效地进行电池操作。

  • MOSFET,对其优化后用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电动工具等的锂离子二次电池的保护电路。

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特点

  • CSP(BGA型和LGA型)

    • 适用于智能手机和平板电脑的锂离子电池保护。

    • 超小/薄型封装设计,适用于更薄的电池设计。


  • ***无铅封装件(WSMini8-F1-B-A-A-B)

    • ***无铅封装件,其所有部件(包括内部接合和电镀)不含铅。

    • 与WMini8相比,封装小48%。


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封装件系列

松下封装件名称封装件图封装件尺寸(mm)功率损耗(W)JEITA
MBGA004-W-1717APAMBGA004-W-1717APA
CSP(BGA type)
1.67 x 1.67 x 0.511.5-
MBGA006-W-1723APAMBGA006-W-1723APA
CSP(BGA type)
1.67 x 2.32 x 0.350.45-
ULGA004-W-1212ULGA004-W-1212
CSP(LGA type)
1.11 x 1.11 x 0.10.35-
WSMini8-F1-B-A-A-B
(***无铅)

WSMini8-F1-B
WSMini8-F1-B-A-A-B2.1 x 2.0 x 0.70.7SC-113E
WMini8-F1WMini8-F12.8 x 2.9 x 0.81SC-115


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